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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    700

    导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    850

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    5

    通道极性：

    N沟道（dào）

    封装/温（wēn）度(℃)：

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,850mΩ,5A,N沟道基于（yú）超级（jí）结（jié）技术的功率MOSFET



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