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    漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    300

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    360

    最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

    11

    通（tōng）道极性：

    N沟（gōu）道

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,360mΩ,11A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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