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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    115

    导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    150

    最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

    24

    通（tōng）道极（jí）性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封（fēng）装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,150mΩ,24A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET



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