米兰官方web站-米兰(中国)



    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    7

    通（tōng）道极性：

    N沟道

    封装/温度(℃)：

    SOT-223-2L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


    米兰官方web站-米兰(中国)

    米兰官方web站-米兰(中国)