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    漏源电压BV DSS (V)(Min.):

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    65

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    70

    最大漏极电(diàn)流Id(on)(A):

    47

    通道极(jí)性(xìng):

    N沟道

    封装(zhuāng)/温(wēn)度(℃):

    TO-220F-3L/-55~125

    描(miáo)述:

    600V,70mΩ,47A,N沟道(dào)基(jī)于超级结技(jì)术的功率MOSFET



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