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    漏源电(diàn)压BV DSS (V)(Min.):

    600

    导通电阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    65

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    70

    最大漏极电流(liú)Id(on)(A):

    47

    通道极性:

    N沟道

    封装(zhuāng)/温度(℃):

    TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

    描述:

    600V,70mΩ,47A,N沟道(dào)基(jī)于超(chāo)级结技术的功率MOSFET



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