米兰官方web站-米兰(中国)



    漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    110

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    130

    最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通道极性：

    N沟道

    封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)：

    TO-247-3L/-55~125

    描述：

    600V,130mΩ,30A,N沟道基于（yú）超级结（jié）技术的功率MOSFET


    米兰官方web站-米兰(中国)

    米兰官方web站-米兰(中国)