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    漏源电压(yā)BV DSS (V)(Min.):

    700

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

    900

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

    1100

    最大漏(lòu)极电流Id(on)(A):

    5

    通(tōng)道极性(xìng):

    N沟道

    封装/温度(℃):

    TO-251-3L(IPAK)/-55~125

    描述(shù):

    700V,1100mΩ,5A,N沟道基于(yú)超级结(jié)技术的功率MOSFET


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