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产品中心
漏源电压(yā)BV DSS (V)(Min.): | 700 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 900 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 1100 |
最大漏(lòu)极电流Id(on)(A): | 5 |
通(tōng)道极性(xìng): | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-251-3L(IPAK)/-55~125 |
描述(shù): | 700V,1100mΩ,5A,N沟道基于(yú)超级结(jié)技术的功率MOSFET |
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