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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    480

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    600

    最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

    7

    通道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度(℃)：

    PDFN5*6/-55~125

    描述：

    650V,600mΩ,7A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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