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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    100

    导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    125

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    30

    通道极性（xìng）：

    N沟道（dào）

    封装/温度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    600V,125mΩ,30A,N沟（gōu）道基（jī）于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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