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    漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最（zuì）大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

    20

    驱动电压(V)：

    10

    通道极性：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描述：

    650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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