米兰官方web站-米兰(中国)



    漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

    600

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    170

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    190

    最大漏极电流Id(on)(A)：

    20

    通道极（jí）性（xìng）：

    N沟（gōu）道

    封装/温度(℃)：

    TO-220-3/-55~125

    描（miáo）述：

    600V，190mΩ，20A，N沟道（dào）基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


    米兰官方web站-米兰(中国)

    米兰官方web站-米兰(中国)