米兰官方web站-米兰(中国)



    漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

    650

    导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

    250

    导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

    290

    最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

    15

    通道极性：

    N沟道（dào）

    封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

    TO-220F-3L/-55~125

    描（miáo）述：

    650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


    米兰官方web站-米兰(中国)

    米兰官方web站-米兰(中国)